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FZT855TA

FZT855TA Diodes Zetex

fzt855.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 150V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details FZT855TA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - FZT855TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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FZT855TA FZT855TA Hersteller : Diodes Zetex fzt855.pdf Trans GP BJT NPN 150V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FZT855TA FZT855TA Hersteller : Diodes Incorporated FZT855.pdf Description: TRANS NPN 150V 5A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 355mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 3 W
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FZT855TA FZT855TA Hersteller : Diodes Incorporated FZT855.pdf Description: TRANS NPN 150V 5A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 355mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 3 W
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FZT855TA FZT855TA Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1FC166FE6C5FDF1A303005056AB0C4F&compId=FZT855.pdf?ci_sign=03a05fa733730796153e8842994e5dc4f9074df0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 5A; 3W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 150V
Quantity in set/package: 1000pcs.
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.7 EUR
64+1.12 EUR
103+0.69 EUR
109+0.66 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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FZT855TA FZT855TA Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1FC166FE6C5FDF1A303005056AB0C4F&compId=FZT855.pdf?ci_sign=03a05fa733730796153e8842994e5dc4f9074df0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 5A; 3W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 150V
Quantity in set/package: 1000pcs.
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Polarisation: bipolar
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FZT855TA FZT855TA Hersteller : Diodes Incorporated FZT855.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN High Current
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10+1.43 EUR
100+1.04 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.67 EUR
5000+0.62 EUR
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FZT855TA
Produktcode: 211595
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FZT855TA FZT855TA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0014138056-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - FZT855TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 672 Stücke:
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FZT855TA FZT855TA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0014138056-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - FZT855TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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FZT855TA FZT855TA Hersteller : Diodes Inc fzt855.pdf Trans GP BJT NPN 150V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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FZT855TA Hersteller : DIODES/ZETEX FZT855.pdf NPN 150V 5A 3W 90MHz FZT855TA Diodes TFZT855
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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FZT855TA Hersteller : DIODES/ZETEX FZT855.pdf NPN 150V 5A 3W 90MHz FZT855TA Diodes TFZT855
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 50
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