G12P10TE Goford Semiconductor
Hersteller: Goford Semiconductor
Description: P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 1.7 EUR |
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Technische Details G12P10TE Goford Semiconductor
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -12A; 44.6W; TO220, Case: TO220, Mounting: THT, Power dissipation: 44.6W, Gate charge: 33nC, Polarisation: unipolar, Version: ESD, Technology: Trench, Drain current: -12A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -100V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V.
Weitere Produktangebote G12P10TE nach Preis ab 0.44 EUR bis 0.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| G12P10TE | GOFORD Semiconductor |
P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G12P10TE |
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Hersteller: GOFORD Semiconductor
P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220
P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 391+ | 0.44 EUR |