GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F1.1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 46.41 EUR |
| 3+ | 41.04 EUR |
| 10+ | 36.91 EUR |
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Technische Details GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - GD10PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 79 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Verlustleistung: 79W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 20A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote GD10PJX65F1S nach Preis ab 49.27 EUR bis 65.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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GD10PJX65F1S | STARPOWER |
 Description: STARPOWER - GD10PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 79 W, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V IGBT-Anschluss: Lötanschluss Verlustleistung: 79W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 20A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GD10PJX65F1S |
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Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD10PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 79 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 79W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 20A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STARPOWER - GD10PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 79 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 79W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 20A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 65.72 EUR |
| 5+ | 57.38 EUR |
| 10+ | 49.27 EUR |