GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Case: F1.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Case: F1.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 29.20 EUR |
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Technische Details GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - GD10PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 79 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 20A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: Modul, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote GD10PJX65F1S nach Preis ab 29.20 EUR bis 29.20 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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GD10PJX65F1S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A Case: F1.1 Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 20A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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GD10PJX65F1S | Hersteller : STARPOWER |
 Description: STARPOWER - GD10PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 79 W, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 20A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |