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GD225HFY120C6S STARPOWER


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Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD225HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 368 A, 2 V, 1.229 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 1.229kW
Verlustleistung: 1.229kW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 368A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 368A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Technische Details GD225HFY120C6S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD225HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 368 A, 2 V, 1.229 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 1.229kW, Verlustleistung: 1.229kW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 368A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 368A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GD225HFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 225A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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GD225HFY120C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 225A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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