GD225HFY120C6S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD225HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 368 A, 2 V, 1.229 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 368A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 1.229kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.229kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 368A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: STARPOWER - GD225HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 368 A, 2 V, 1.229 kW, 150 °C, Module
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Transistormontage: Platte
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IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 368A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 1.229kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.229kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 368A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2 Stücke:
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Technische Details GD225HFY120C6S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD225HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 368 A, 2 V, 1.229 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, Dauer-Kollektorstrom: 368A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 1.229kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.229kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 368A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote GD225HFY120C6S
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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GD225HFY120C6S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A Pulsed collector current: 450A Collector current: 225A Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: Press-in PCB; screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C6 62mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GD225HFY120C6S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A Pulsed collector current: 450A Collector current: 225A Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: Press-in PCB; screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C6 62mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge |
Produkt ist nicht verfügbar |