GD25PJY120F5S STARPOWER
Hersteller: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD25PJY120F5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 49 A, 1.7 V, 188 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 49A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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Technische Details GD25PJY120F5S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD25PJY120F5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 49 A, 1.7 V, 188 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 49A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: Modul, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote GD25PJY120F5S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| GD25PJY120F5S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1 Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Case: F5.1 Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 50A Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GD25PJY120F5S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1 Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Case: F5.1 Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 50A Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge |
Produkt ist nicht verfügbar |