GD40PIY120C5S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD40PIY120C5S - IGBT-Modul, PIM, 72 A, 1.7 V, 280 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 72
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 280
Verlustleistung: 280
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM
DC-Kollektorstrom: 72
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: To Be Advised
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 131.63 EUR |
| 5+ | 120.52 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
2 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details GD40PIY120C5S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD40PIY120C5S - IGBT-Modul, PIM, 72 A, 1.7 V, 280 W, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7, Dauer-Kollektorstrom: 72, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7, Verlustleistung Pd: 280, Verlustleistung: 280, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: PIM, DC-Kollektorstrom: 72, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote GD40PIY120C5S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GD40PIY120C5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 40A Case: C5 45mm Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mechanical mounting: screw Technology: Advanced Trench FS IGBT |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD40PIY120C5S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)