GD40PIY120C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 80A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: C5 45mm
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 80A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: C5 45mm
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 67.52 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details GD40PIY120C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - GD40PIY120C5S - IGBT-Modul, PIM, 72 A, 1.7 V, 280 W, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7, Dauer-Kollektorstrom: 72, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7, Verlustleistung Pd: 280, Verlustleistung: 280, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: PIM, DC-Kollektorstrom: 72, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote GD40PIY120C5S nach Preis ab 67.52 EUR bis 67.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GD40PIY120C5S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 80A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: C5 45mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||
 |
GD40PIY120C5S | Hersteller : STARPOWER |
Description: STARPOWER - GD40PIY120C5S - IGBT-Modul, PIM, 72 A, 1.7 V, 280 W, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 72 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 280 Verlustleistung: 280 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: PIM DC-Kollektorstrom: 72 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |