
GD800SGX170C3S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD800SGX170C3S - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, gemeinsames Gate, 800 A, 2.3 V, 5.75 kW, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
Dauer-Kollektorstrom: 800A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.75kW
Bauform - Transistor: -
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter, gemeinsames Gate
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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Technische Details GD800SGX170C3S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD800SGX170C3S - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, gemeinsames Gate, 800 A, 2.3 V, 5.75 kW, 150 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V, Dauer-Kollektorstrom: 800A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.75kW, Bauform - Transistor: -, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter, gemeinsames Gate, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote GD800SGX170C3S
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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GD800SGX170C3S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD800SGX170C3S IGBT modules |
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