GT090N06D52 Goford Semiconductor


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Hersteller: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
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Technische Details GT090N06D52 Goford Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 62W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GT090N06D52 GOFORD Semiconductor GT090N06D52.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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