GT090N06D52 Goford Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.58 EUR |
| 10+ | 2.28 EUR |
| 50+ | 1.71 EUR |
| 100+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.21 EUR |
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Technische Details GT090N06D52 Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 62W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75).
Weitere Produktangebote GT090N06D52 nach Preis ab 0.7 EUR bis 0.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| GT090N06D52 | GOFORD Semiconductor |
Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GT090N06D52 |
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Hersteller: GOFORD Semiconductor
Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.7 EUR |


