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GT15J341,S4X(S)

GT15J341,S4X(S) Toshiba

20gt15j341_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Hersteller: Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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Technische Details GT15J341,S4X(S) Toshiba

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 15A, Power dissipation: 30W, Case: TO220FP, Gate-emitter voltage: ±25V, Pulsed collector current: 60A, Mounting: THT, Kind of package: tube, Turn-on time: 180ns, Turn-off time: 320ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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GT15J341,S4X(S) GT15J341,S4X(S) Hersteller : Toshiba 20gt15j341_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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GT15J341,S4X(S GT15J341,S4X(S Hersteller : TOSHIBA GT15J341.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 320ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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GT15J341,S4X(S GT15J341,S4X(S Hersteller : TOSHIBA GT15J341.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
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Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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GT15J341,S4X(S GT15J341,S4X(S Hersteller : Toshiba 20gt15j341_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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