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GT30J65MRB,S1E(S TOSHIBA

Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT30J65MRB,S1E(S - IGBT, 60 A, 1.4 V, 200 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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Technische Details GT30J65MRB,S1E(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - GT30J65MRB,S1E(S - IGBT, 60 A, 1.4 V, 200 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote GT30J65MRB,S1E(S

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	GT30J65MRB,S1E(S	Hersteller : Toshiba	HALBLEITERBAUELEMENTE, TRANSISTOR, DISCRETE IGBT WITH DIODE	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH