HN1B04FE-GR,LF(T TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT563F
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 8040 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1100+ | 0.07 EUR |
| 1220+ | 0.06 EUR |
| 1600+ | 0.05 EUR |
| 1680+ | 0.04 EUR |
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Technische Details HN1B04FE-GR,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 100mW, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA, Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 100mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote HN1B04FE-GR,LF(T nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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HN1B04FE-GR,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.1W Case: SOT563F Current gain: 200...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz |
auf Bestellung 8040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HN1B04FE-GR,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 100mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 100mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HN1B04FE-GR,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HN1B04FE-GR,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |