IDH09SG60C Infineon Technologies
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Technische Details IDH09SG60C Infineon Technologies
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 9A; 115W; PG-TO220-2, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 0.6kV, Max. forward voltage: 1.8V, Load current: 9A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 49A, Leakage current: 0.7µA, Case: PG-TO220-2, Power dissipation: 115W, Kind of package: tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: CoolSiC™ 3G; SiC, Anzahl je Verpackung: 500 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IDH09SG60C | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 9A; 115W; PG-TO220-2 Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.8V Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 49A Leakage current: 0.7µA Case: PG-TO220-2 Power dissipation: 115W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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IDH09SG60C | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 9A; 115W; PG-TO220-2 Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.8V Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 49A Leakage current: 0.7µA Case: PG-TO220-2 Power dissipation: 115W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 3G; SiC |
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