IMT44R011M2HXTMA2 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT44R011M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 440 V, 0.0144 ohm, HSOF
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 22.3 EUR |
| 50+ | 20.72 EUR |
| 100+ | 19.12 EUR |
| 250+ | 18.74 EUR |
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Technische Details IMT44R011M2HXTMA2 INFINEON
Description: INFINEON - IMT44R011M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 440 V, 0.0144 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 440V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 144A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 429W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm.
Weitere Produktangebote IMT44R011M2HXTMA2 nach Preis ab 18.27 EUR bis 36.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IMT44R011M2HXTMA2 | Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 440V 144A PG-HSOF-8 |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT44R011M2HXTMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
auf Bestellung 1530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT44R011M2HXTMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMT44R011M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 440 V, 0.0144 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 440V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 144A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 429W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm |
auf Bestellung 1998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMT44R011M2HXTMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 440V 144A PG-HSOF-8
Description: SICFET N-CH 440V 144A PG-HSOF-8
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 35.02 EUR |
| 10+ | 24.91 EUR |
| 100+ | 21.91 EUR |
| IMT44R011M2HXTMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 35.71 EUR |
| 10+ | 26.18 EUR |
| 100+ | 20.99 EUR |
| 500+ | 19.5 EUR |
| 1000+ | 18.27 EUR |
| IMT44R011M2HXTMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT44R011M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 440 V, 0.0144 ohm, HSOF
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
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Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
Description: INFINEON - IMT44R011M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 440 V, 0.0144 ohm, HSOF
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 36.78 EUR |
| 8+ | 29.17 EUR |
| 10+ | 22.3 EUR |
| 50+ | 20.72 EUR |
| 100+ | 19.12 EUR |
| 250+ | 18.74 EUR |