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IMT44R011M2HXTMA2

IMT44R011M2HXTMA2 INFINEON

4609067.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT44R011M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 440 V, 0.0144 ohm, HSOF
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Technische Details IMT44R011M2HXTMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IMT44R011M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 440 V, 0.0144 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 440V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 144A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 429W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMT44R011M2HXTMA2 IMT44R011M2HXTMA2 Infineon Technologies infineon-imt44r011m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 440V 144A PG-HSOF-8
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IMT44R011M2HXTMA2 IMT44R011M2HXTMA2 Infineon Technologies infineon_imt44r011m2h_productqualificationreport_en.pdf MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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IMT44R011M2HXTMA2 IMT44R011M2HXTMA2 INFINEON 4609067.pdf Description: INFINEON - IMT44R011M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 440 V, 0.0144 ohm, HSOF
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Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
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Description: SICFET N-CH 440V 144A PG-HSOF-8
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Description: INFINEON - IMT44R011M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 440 V, 0.0144 ohm, HSOF
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