IPI50R350CPXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPI50R350CPXKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; 89W; PG-TO262-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 10A, Power dissipation: 89W, Case: PG-TO262-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.35Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IPI50R350CPXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; 89W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A Power dissipation: 89W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPI50R350CPXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; 89W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A Power dissipation: 89W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
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