IPW60R080P7

IPW60R080P7 INFINEON TECHNOLOGIES


IPW60R080P7.pdf Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details IPW60R080P7 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 23A, Power dissipation: 129W, Case: PG-TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 80mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Version: ESD, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPW60R080P7 IPW60R080P7 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPW60R080P7_DS_v02_01_EN-3362671.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
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IPW60R080P7 IPW60R080P7 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R080P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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