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IPW60R330P6FKSA1 Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3

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Technische Details IPW60R330P6FKSA1 Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 7.6A, Power dissipation: 93W, Case: PG-TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.33Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 22nC.

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	IPW60R330P6FKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.6A Power dissipation: 93W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 22nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPW60R330P6FKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 93W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC

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