IRG4RC20F International Rectifier


fundamentals-of-power-semiconductors Hersteller: International Rectifier
Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 66000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube   IRG4RC20F TIRG4rc20f
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Technische Details IRG4RC20F International Rectifier

Description: IGBT 600V 22A 66W DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Td (on/off) @ 25°C: 26ns/194ns, Switching Energy: 190µJ (on), 920µJ (off), Test Condition: 480V, 12A, 50Ohm, 15V, Gate Charge: 27 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 22 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 44 A, Power - Max: 66 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRG4RC20F IRG4RC20F Hersteller : Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT 600V 22A 66W DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/194ns
Switching Energy: 190µJ (on), 920µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 22 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 44 A
Power - Max: 66 W
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