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IS43DR86400E-3DBL

IS43DR86400E-3DBL ISSI


43_46DR86400E_16320E-1102465.pdf Hersteller: ISSI
DRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V
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Technische Details IS43DR86400E-3DBL ISSI

Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60, Operating temperature: 0...85°C, Kind of memory: DDR2; SDRAM, Memory organisation: 16Mx8bitx4, Access time: 15ns, Clock frequency: 333MHz, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Memory: 512Mb DRAM, Mounting: SMD, Case: TWBGA60, Supply voltage: 1.7...1.9V DC, Type of integrated circuit: DRAM memory, Anzahl je Verpackung: 242 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IS43DR86400E-3DBL Hersteller : ISSI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE97A489F5915F20D5&compId=IS43DR16320E-25DBL.pdf?ci_sign=2f29bedf754ea05515a8536393d7149ff2b3858a Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60
Operating temperature: 0...85°C
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Access time: 15ns
Clock frequency: 333MHz
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 512Mb DRAM
Mounting: SMD
Case: TWBGA60
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Type of integrated circuit: DRAM memory
Anzahl je Verpackung: 242 Stücke
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IS43DR86400E-3DBL Hersteller : ISSI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE97A489F5915F20D5&compId=IS43DR16320E-25DBL.pdf?ci_sign=2f29bedf754ea05515a8536393d7149ff2b3858a Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60
Operating temperature: 0...85°C
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Access time: 15ns
Clock frequency: 333MHz
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 512Mb DRAM
Mounting: SMD
Case: TWBGA60
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
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