
IXA4IF1200TC IXYS

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 5A; 45W; TO268
Collector current: 5A
Case: TO268
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details IXA4IF1200TC IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 5A; 45W; TO268, Collector current: 5A, Case: TO268, Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™, Power dissipation: 45W, Kind of package: tube, Gate charge: 12nC, Mounting: SMD, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 9A, Turn-on time: 110ns, Turn-off time: 350ns, Type of transistor: IGBT, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IXA4IF1200TC | Hersteller : IXYS |
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IXA4IF1200TC | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 5A; 45W; TO268 Collector current: 5A Case: TO268 Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™ Power dissipation: 45W Kind of package: tube Gate charge: 12nC Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 9A Turn-on time: 110ns Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT |
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