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IXTY08N100D2.

IXTY08N100D2. LITTELFUSE

LFSI-S-A0007909279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTY08N100D2. - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 350 Stücke:
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Technische Details IXTY08N100D2. LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXTY08N100D2. - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-252, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm, directShipCharge: 25.