
MD15FSR120L2SF STARPOWER

Description: STARPOWER - MD15FSR120L2SF - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Sechsfach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
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Technische Details MD15FSR120L2SF STARPOWER
Description: STARPOWER - MD15FSR120L2SF - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Sechsfach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 101W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 23Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote MD15FSR120L2SF
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MD15FSR120L2SF | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 15A; L2; Press-in PCB; 101W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A Case: L2 Topology: MOSFET three-phase bridge; NTC thermistor Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 0.12Ω Pulsed drain current: 77A Power dissipation: 101W Technology: SiC Gate-source voltage: -4...22V Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 24 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MD15FSR120L2SF | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 15A; L2; Press-in PCB; 101W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A Case: L2 Topology: MOSFET three-phase bridge; NTC thermistor Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 0.12Ω Pulsed drain current: 77A Power dissipation: 101W Technology: SiC Gate-source voltage: -4...22V Mechanical mounting: screw |
Produkt ist nicht verfügbar |