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Technische Details MIXA61WB1200TEH IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; XPT™, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 190A, Case: E3-Pack, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Technology: XPT™, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MIXA61WB1200TEH
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| MIXA61WB1200TEH | Hersteller : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; XPT™ Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 190A Case: E3-Pack Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: XPT™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| MIXA61WB1200TEH | Hersteller : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; XPT™ Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 190A Case: E3-Pack Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: XPT™ |
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