MSC025SMB120B4N Microchip Technology
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 24.48 EUR |
| 30+ | 22.57 EUR |
| 120+ | 19.65 EUR |
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Technische Details MSC025SMB120B4N Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC025SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.033 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 357W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: mSiC Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.
Weitere Produktangebote MSC025SMB120B4N nach Preis ab 24.04 EUR bis 29.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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MSC025SMB120B4N | MICROCHIP |
 Description: MICROCHIP - MSC025SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.033 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 357W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: mSiC Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MSC025SMB120B4N |
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC025SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.033 ohm, TO-247
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
Description: MICROCHIP - MSC025SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.033 ohm, TO-247
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 9+ | 29.21 EUR |
| 25+ | 26.6 EUR |
| 100+ | 24.04 EUR |