MSC025SMB120B4N Microchip Technology
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 20.57 EUR |
| 30+ | 18.97 EUR |
| 120+ | 16.51 EUR |
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Technische Details MSC025SMB120B4N Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC025SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.033 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: mSiC Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MSC025SMB120B4N | Hersteller : MICROCHIP |
 Description: MICROCHIP - MSC025SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.033 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: mSiC Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |