NTE2912 NTE Electronics
Hersteller: NTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 71.50 EUR |
| 3+ | 23.84 EUR |
| 5+ | 14.30 EUR |
| 12+ | 5.96 EUR |
| 25+ | 3.55 EUR |
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Technische Details NTE2912 NTE Electronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 75V, Drain current: 58A, Pulsed drain current: 280A, Power dissipation: 230W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 13mΩ, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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NTE2912 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 58A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
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