NTE2913 NTE Electronics
Hersteller: NTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 35.75 EUR |
| 3+ | 23.84 EUR |
| 4+ | 17.88 EUR |
| 9+ | 7.95 EUR |
| 10+ | 7.15 EUR |
| 25+ | 4.69 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NTE2913 NTE Electronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 55V, Drain current: 80A, Pulsed drain current: 390A, Power dissipation: 200W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 8mΩ, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote NTE2913 nach Preis ab 35.75 EUR bis 35.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTE2913 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Pulsed drain current: 390A Power dissipation: 200W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|