NTE2989

NTE2989 NTE Electronics


nte2989.pdf Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 50W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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Technische Details NTE2989 NTE Electronics

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 50W; TO220FN, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 10A, Pulsed drain current: 36A, Power dissipation: 50W, Case: TO220FN, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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NTE2989 NTE2989 Hersteller : NTE Electronics nte2989.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 50W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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