
NTE2989 NTE Electronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 50W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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2+ | 35.75 EUR |
5+ | 14.30 EUR |
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Technische Details NTE2989 NTE Electronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 50W; TO220FN, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 10A, Pulsed drain current: 36A, Power dissipation: 50W, Case: TO220FN, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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NTE2989 | Hersteller : NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 50W; TO220FN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 50W Case: TO220FN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
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