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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.62 EUR |
| 10+ | 2.01 EUR |
| 100+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
| 3000+ | 1.14 EUR |
| 6000+ | 1.05 EUR |
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Technische Details NTMYS4D5N04CTWG onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 400A; 27W; LFPAK56, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 80A, Pulsed drain current: 400A, Power dissipation: 27W, Case: LFPAK56, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 18nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote NTMYS4D5N04CTWG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| NTMYS4D5N04CTWG | Hersteller : ON Semiconductor |
 MOSFET Power, Single N Channel 40 V, 4.5 m, 80 A |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTMYS4D5N04CTWG | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 400A; 27W; LFPAK56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 27W Case: LFPAK56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTMYS4D5N04CTWG | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 400A; 27W; LFPAK56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 27W Case: LFPAK56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |