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P16B6SB-5071

P16B6SB-5071 SHINDENGEN


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9A7189D92AC40C7&compId=P16B6SB.pdf?ci_sign=39748d7b0d1619707f67ec54fdffecfabaa89319 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 60V
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2994 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
123+0.58 EUR
138+0.52 EUR
155+0.46 EUR
500+0.41 EUR
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Technische Details P16B6SB-5071 SHINDENGEN

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Gate charge: 17nC, On-state resistance: 37mΩ, Drain current: 16A, Power dissipation: 20W, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 48A, Drain-source voltage: 60V, Mounting: SMD, Technology: EETMOS3, Kind of channel: enhancement, Case: FB (TO252AA), Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote P16B6SB-5071 nach Preis ab 0.41 EUR bis 0.58 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
P16B6SB-5071 P16B6SB-5071 Hersteller : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9A7189D92AC40C7&compId=P16B6SB.pdf?ci_sign=39748d7b0d1619707f67ec54fdffecfabaa89319 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 16A; Idm: 48A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 60V
Mounting: SMD
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
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