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P22F10SN-5600

P22F10SN-5600 SHINDENGEN

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C57930D66A00C7&compId=P22F10SN.pdf?ci_sign=7f77686409bc258ee9827ab10271e89ca389f9f4 Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 35W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details P22F10SN-5600 SHINDENGEN

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: EETMOS3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 22A, Pulsed drain current: 66A, Power dissipation: 35W, Case: FTO-220AG (SC91), Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 28mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 34nC, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote P22F10SN-5600 nach Preis ab 2.17 EUR bis 2.17 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
P22F10SN-5600 P22F10SN-5600 Hersteller : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C57930D66A00C7&compId=P22F10SN.pdf?ci_sign=7f77686409bc258ee9827ab10271e89ca389f9f4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 35W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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P22F10SN-5600 Hersteller : Shindengen shindengen_F072-13.pdf MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
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