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P2B60HP2F-5071 Shindengen


shindengen_F072-13-1847360.pdf Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
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Technische Details P2B60HP2F-5071 Shindengen

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 35W, Mounting: SMD, Technology: Hi-PotMOS2, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Pulsed drain current: 8A, Drain current: 2A, Gate charge: 6.8nC, Power dissipation: 35W, On-state resistance: 4.2Ω, Gate-source voltage: ±30V, Case: FB (TO252AA), Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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P2B60HP2F-5071 Hersteller : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 35W
Mounting: SMD
Technology: Hi-PotMOS2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 8A
Drain current: 2A
Gate charge: 6.8nC
Power dissipation: 35W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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