P32F12SN-5600 SHINDENGEN
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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Technische Details P32F12SN-5600 SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: EETMOS3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 120V, Drain current: 32A, Pulsed drain current: 128A, Power dissipation: 44W, Case: FTO-220AG (SC91), Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 15.5mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 92nC, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhancement.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| P32F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| P32F12SN-5600 |
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