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P32F12SN-5600

P32F12SN-5600 SHINDENGEN

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C56F11026D40C7&compId=P32F12SN.pdf?ci_sign=94d7a59a950b25d50942f89d9482564e01263cc5 Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
61+1.19 EUR
69+1.04 EUR
100+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 55
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Technische Details P32F12SN-5600 SHINDENGEN

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: EETMOS3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 120V, Drain current: 32A, Pulsed drain current: 128A, Power dissipation: 44W, Case: FTO-220AG (SC91), Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 15.5mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 92nC, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote P32F12SN-5600 nach Preis ab 0.94 EUR bis 1.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
P32F12SN-5600 P32F12SN-5600 Hersteller : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C56F11026D40C7&compId=P32F12SN.pdf?ci_sign=94d7a59a950b25d50942f89d9482564e01263cc5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 44W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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P32F12SN-5600 Hersteller : Shindengen shindengen_F072-13.pdf MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
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