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P40B10SL-5071

P40B10SL-5071 SHINDENGEN


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 18.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1569 Stücke:

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Technische Details P40B10SL-5071 SHINDENGEN

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W, Case: FB (TO252AA), Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 40A, On-state resistance: 18.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 62.5W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 66nC, Technology: EETMOS3, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 40A, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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P40B10SL-5071 P40B10SL-5071 Hersteller : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 18.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
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