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P40B6SL-5071

P40B6SL-5071 SHINDENGEN


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9A72507C53C20C7&compId=P40B6SL.pdf?ci_sign=9071bcb53fa483aa745607b59a8a9eb2336aac60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 120A
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1056 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.58 EUR
138+0.52 EUR
158+0.45 EUR
167+0.43 EUR
500+0.41 EUR
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Technische Details P40B6SL-5071 SHINDENGEN

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W, Case: FB (TO252AA), Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 43nC, On-state resistance: 12mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Drain current: 40A, Power dissipation: 44W, Drain-source voltage: 60V, Pulsed drain current: 120A, Technology: EETMOS3, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote P40B6SL-5071 nach Preis ab 0.41 EUR bis 0.58 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
P40B6SL-5071 P40B6SL-5071 Hersteller : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9A72507C53C20C7&compId=P40B6SL.pdf?ci_sign=9071bcb53fa483aa745607b59a8a9eb2336aac60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 120A
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
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