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P40B6SL-5071

P40B6SL-5071 SHINDENGEN


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9A72507C53C20C7&compId=P40B6SL.pdf?ci_sign=9071bcb53fa483aa745607b59a8a9eb2336aac60 Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1071 Stücke:

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Anzahl Preis
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Technische Details P40B6SL-5071 SHINDENGEN

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W, Case: FB (TO252AA), Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 40A, On-state resistance: 12mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 44W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 43nC, Technology: EETMOS3, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 120A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote P40B6SL-5071 nach Preis ab 0.41 EUR bis 0.58 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
P40B6SL-5071 P40B6SL-5071 Hersteller : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9A72507C53C20C7&compId=P40B6SL.pdf?ci_sign=9071bcb53fa483aa745607b59a8a9eb2336aac60 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
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