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P4B40HP2-5071 SHINDENGEN


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 4A
On-state resistance: 1.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.5nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: SMD
Case: FB (TO252AA)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details P4B40HP2-5071 SHINDENGEN

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W, Drain-source voltage: 400V, Drain current: 4A, On-state resistance: 1.9Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 35W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 6.5nC, Technology: Hi-PotMOS2, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 16A, Mounting: SMD, Case: FB (TO252AA), Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
P4B40HP2-5071 Hersteller : Shindengen shindengen_F072-13-1847360.pdf MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
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P4B40HP2-5071 Hersteller : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 4A
On-state resistance: 1.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.5nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
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Pulsed drain current: 16A
Mounting: SMD
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