Produkte > SHINDENGEN > P4B40HP2-5071

P4B40HP2-5071 Shindengen

shindengen_F072-13-1847360.pdf Hersteller: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details P4B40HP2-5071 Shindengen

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Technology: Hi-PotMOS2, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Case: FB (TO252AA), Gate charge: 6.5nC, On-state resistance: 1.9Ω, Drain current: 4A, Pulsed drain current: 16A, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 35W, Drain-source voltage: 400V.

Weitere Produktangebote P4B40HP2-5071

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
P4B40HP2-5071 Hersteller : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 4A; Idm: 16A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Case: FB (TO252AA)
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 1.9Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH