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P66F7R5SN-5600 SHINDENGEN


_Shindengen Catalogue 2020.pdf P66F7R5SN.pdf
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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Technische Details P66F7R5SN-5600 SHINDENGEN

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: EETMOS3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 75V, Drain current: 66A, Pulsed drain current: 264A, Power dissipation: 51W, Case: FTO-220AG (SC91), Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 5mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 115nC, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhancement.

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P66F7R5SN-5600 Shindengen MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
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Hersteller: Shindengen
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