
P66F7R5SN-5600 SHINDENGEN


Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 264A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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43+ | 1.70 EUR |
45+ | 1.59 EUR |
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Technische Details P66F7R5SN-5600 SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: EETMOS3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 75V, Drain current: 66A, Pulsed drain current: 264A, Power dissipation: 51W, Case: FTO-220AG (SC91), Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 5mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 115nC, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote P66F7R5SN-5600 nach Preis ab 1.59 EUR bis 1.70 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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P66F7R5SN-5600 | Hersteller : SHINDENGEN |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 66A; Idm: 264A; 51W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 66A Pulsed drain current: 264A Power dissipation: 51W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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