P86F6SN-5600 SHINDENGEN
Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 86A; Idm: 344A; 58W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Pulsed drain current: 344A
Power dissipation: 58W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 181nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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Technische Details P86F6SN-5600 SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 86A; Idm: 344A; 58W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: EETMOS3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 86A, Pulsed drain current: 344A, Power dissipation: 58W, Case: FTO-220AG (SC91), Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 181nC, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhancement.
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