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P86F6SN-5600

P86F6SN-5600 SHINDENGEN

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C54BA1EF76E0C7&compId=P86F6SN.pdf?ci_sign=a5480cc66ae54d2a4876dd99f1d50b20098e2e29 Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 86A; Idm: 344A; 58W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Pulsed drain current: 344A
Power dissipation: 58W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 181nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details P86F6SN-5600 SHINDENGEN

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 86A; Idm: 344A; 58W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: EETMOS3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 86A, Pulsed drain current: 344A, Power dissipation: 58W, Case: FTO-220AG (SC91), Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 181nC, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote P86F6SN-5600 nach Preis ab 1.83 EUR bis 2.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
P86F6SN-5600 P86F6SN-5600 Hersteller : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C54BA1EF76E0C7&compId=P86F6SN.pdf?ci_sign=a5480cc66ae54d2a4876dd99f1d50b20098e2e29 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 86A; Idm: 344A; 58W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Pulsed drain current: 344A
Power dissipation: 58W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 181nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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P86F6SN-5600 Hersteller : Shindengen MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
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