Produkte > SHINDENGEN > P8B10SBK-5071

P8B10SBK-5071 SHINDENGEN


Hersteller: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 23W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
On-state resistance: 94mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 23W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 24A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details P8B10SBK-5071 SHINDENGEN

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 23W, Case: FB (TO252AA), Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 8A, On-state resistance: 94mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 23W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 16.5nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: 24A, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote P8B10SBK-5071

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
P8B10SBK-5071 Hersteller : SHINDENGEN Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 23W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
On-state resistance: 94mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 23W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 24A
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH