PSMN2R6-80YSF NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN2R6-80YSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 231A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: LFPAK56E, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).