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PSMN2R6-80YSF

PSMN2R6-80YSF NEXPERIA

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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R6-80YSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 231A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 1449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.32 EUR
44+5.3 EUR
100+3.72 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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Technische Details PSMN2R6-80YSF NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN2R6-80YSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 231A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 294W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56E, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.