PSMN2R8-80SSF NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN2R8-80SSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 205 A, 2800 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 205A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 341W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK88, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm.