SEMIX302GB17E4S 27892110 SEMIKRON DANFOSS
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; SEMIX2S
Case: SEMIX2S
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; SEMIX2S
Case: SEMIX2S
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
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Technische Details SEMIX302GB17E4S 27892110 SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; SEMIX2S, Case: SEMIX2S, Type of module: IGBT, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 1.7kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SEMIX302GB17E4S 27892110
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| SEMIX302GB17E4S 27892110 | Hersteller : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; SEMIX2S Case: SEMIX2S Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: transistor/transistor |
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