SGB02N120 Infineon Technologies
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|---|---|
| 1+ | 4.42 EUR |
| 10+ | 3.98 EUR |
| 25+ | 3.73 EUR |
| 100+ | 3.19 EUR |
| 250+ | 2.99 EUR |
| 500+ | 2.62 EUR |
| 1000+ | 2.27 EUR |
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Technische Details SGB02N120 Infineon Technologies
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.8A; 62W; D2PAK, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 2.8A, Power dissipation: 62W, Case: D2PAK, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 9.6A, Mounting: SMD, Kind of package: reel, Turn-on time: 40ns, Turn-off time: 375ns, Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke.
Weitere Produktangebote SGB02N120
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SGB02N120 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.8A; 62W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 2.8A Power dissipation: 62W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 9.6A Mounting: SMD Kind of package: reel Turn-on time: 40ns Turn-off time: 375ns Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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SGB02N120 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.8A; 62W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 2.8A Power dissipation: 62W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 9.6A Mounting: SMD Kind of package: reel Turn-on time: 40ns Turn-off time: 375ns |
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