SH8K11GZETB Rohm Semiconductor
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Technische Details SH8K11GZETB Rohm Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOP8; ESD, Case: SOP8, Mounting: SMD, Version: ESD, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Type of transistor: N-MOSFET x2, Gate charge: 1.9nC, On-state resistance: 0.14Ω, Power dissipation: 2W, Drain current: 3.5A, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 14A, Drain-source voltage: 30V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SH8K11GZETB | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOP8; ESD Case: SOP8 Mounting: SMD Version: ESD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate charge: 1.9nC On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 2W Drain current: 3.5A Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 14A Drain-source voltage: 30V |
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