SI4564DY-VB VBsemi
Hersteller: VBsemi
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 7,6A; 3W; -55°C~150°C; Substitute: SI4564DY-T1-GE3; SI4564DY-VB; SI4564DY SOIC8 VBSEMI TSI4564dy VBS
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 7,6A; 3W; -55°C~150°C; Substitute: SI4564DY-T1-GE3; SI4564DY-VB; SI4564DY SOIC8 VBSEMI TSI4564dy VBS
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Technische Details SI4564DY-VB VBsemi
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 7,6A; 3W; -55°C~150°C; Substitute: SI4564DY-T1-GE3; SI4564DY-VB; SI4564DY SOIC8 VBSEMI TSI4564dy VBS.