Suchergebnisse für "sihf640l-ge3" : 3
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHF640L-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 130W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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SIHF640L-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V |
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| SIHF640L-GE3 |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SIHF640L-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V
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