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Technische Details SIHF730STRL-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W, Mounting: SMD, Case: D2PAK; TO263, Kind of package: reel; tape, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 400V, Drain current: 3.5A, Gate charge: 38nC, On-state resistance: 1Ω, Power dissipation: 74W, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 22A.
Weitere Produktangebote SIHF730STRL-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SIHF730STRL-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIHF730STRL-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.5A Gate charge: 38nC On-state resistance: 1Ω Power dissipation: 74W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 22A |
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| SIHF730STRL-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
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| SIHF730STRL-GE3 |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; Idm: 22A; 74W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
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