Suchergebnisse für "sihfr010-ge3" : 3
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHFR010-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 8.2A; Idm: 33A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 8.2A Pulsed drain current: 33A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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SIHFR010-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V |
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| SIHFR010-GE3 |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 8.2A; Idm: 33A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 8.2A; Idm: 33A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SIHFR010-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 60V
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