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SIR870BDP-T1-RE3 SIR870BDP-T1-RE3 Vishay Semiconductors sir870bdp.pdf MOSFET N-CHANNEL 100 V
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SIR870BDP-T1-RE3 SIR870BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir870bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V
auf Bestellung 10021 Stücke:
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6+3.48 EUR
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500+ 1.95 EUR
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SIR870BDP-T1-RE3 SIR870BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir870bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V
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SIR870BDP-T1-RE3 SIR870BDP-T1-RE3 Vishay id-7630025-sir870bdp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 2470 Stücke:
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77+2.05 EUR
83+ 1.82 EUR
84+ 1.74 EUR
85+ 1.65 EUR
100+ 1.43 EUR
250+ 1.33 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 77
SIR870BDP-T1-RE3 SIR870BDP-T1-RE3 VISHAY 2917269.pdf Description: VISHAY - SIR870BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 0.0048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SIR870BDP-T1-RE3 SIR870BDP-T1-RE3 Vishay id-7630025-sir870bdp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 2470 Stücke:
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50+3.13 EUR
60+ 2.54 EUR
100+ 1.97 EUR
250+ 1.81 EUR
500+ 1.55 EUR
1000+ 1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 50
SIR870BDP-T1-RE3 SIR870BDP-T1-RE3 VISHAY 2917269.pdf Description: VISHAY - SIR870BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 0.0048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5558 Stücke:
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SIR870BDP SIR870BDP Vishay id-7630025-sir870bdp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIR870BDP-T1-RE3 VISHAY sir870bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
SIR870BDP-T1-RE3 VISHAY sir870bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR870BDP-T1-RE3 SIR870BDP-T1-RE3 Vishay sir870bdp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIR870BDP-T1-RE3 SIR870BDP-T1-RE3 Vishay id-7630025-sir870bdp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIR870BDP-T1-UE3 SIR870BDP-T1-UE3 Vishay MOSFET
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SIR870BDP-T1-RE3 sir870bdp.pdf
SIR870BDP-T1-RE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 100 V
auf Bestellung 5895 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.29 EUR
10+ 2.76 EUR
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500+ 1.9 EUR
1000+ 1.63 EUR
SIR870BDP-T1-RE3 sir870bdp.pdf
SIR870BDP-T1-RE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V
auf Bestellung 10021 Stücke:
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SIR870BDP-T1-RE3 sir870bdp.pdf
SIR870BDP-T1-RE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V
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SIR870BDP-T1-RE3 id-7630025-sir870bdp.pdf
SIR870BDP-T1-RE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Anzahl Preis ohne MwSt
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SIR870BDP-T1-RE3 2917269.pdf
SIR870BDP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR870BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 0.0048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5558 Stücke:
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SIR870BDP-T1-RE3 id-7630025-sir870bdp.pdf
SIR870BDP-T1-RE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 2470 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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250+ 1.81 EUR
500+ 1.55 EUR
1000+ 1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 50
SIR870BDP-T1-RE3 2917269.pdf
SIR870BDP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR870BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 0.0048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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SIR870BDP id-7630025-sir870bdp.pdf
SIR870BDP
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIR870BDP-T1-RE3 sir870bdp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
SIR870BDP-T1-RE3 sir870bdp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR870BDP-T1-RE3 sir870bdp.pdf
SIR870BDP-T1-RE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SIR870BDP-T1-RE3 id-7630025-sir870bdp.pdf
SIR870BDP-T1-RE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIR870BDP-T1-UE3
SIR870BDP-T1-UE3
Hersteller: Vishay
MOSFET
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