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SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix


Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified
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Technische Details SQJB70EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.5A; 9W; PowerPAK® SO8, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET x2, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Gate charge: 4nC, On-state resistance: 95mΩ, Drain current: 6.5A, Power dissipation: 9W, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 100V, Case: PowerPAK® SO8.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SQJB70EP-T1_GE3 VISHAY SQJB70EP-T1-GE3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.5A; 9W; PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 95mΩ
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 9W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Case: PowerPAK® SO8
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SQJB70EP-T1_GE3 SQJB70EP-T1-GE3.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.5A; 9W; PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 95mΩ
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 9W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
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