SQJB70EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SQJB70EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.5A; 9W; PowerPAK® SO8, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 6.5A, Power dissipation: 9W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 95mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 4nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SQJB70EP-T1_GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SQJB70EP-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
 Automotive Dual N-Channel 100 V MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SQJB70EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.5A; 9W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.5A Power dissipation: 9W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SQJB70EP-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.5A; 9W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.5A Power dissipation: 9W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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