SSM3J35CTC,L3F(T TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM3J35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details SSM3J35CTC,L3F(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: CST, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm, SVHC: To Be Advised.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SSM3J35CTC,L3F(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: CST Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 4660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3J35CTC,L3F(T | Hersteller : TOSHIBA |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.25A; 500mW; CST3C Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -250mA Power dissipation: 0.5W Case: CST3C Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 20Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SSM3J35CTC,L3F(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.25A; 500mW; CST3C Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -250mA Power dissipation: 0.5W Case: CST3C Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 20Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |