SSM6K341NU,LF(T TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K341NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6K341NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
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Technische Details SSM6K341NU,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K341NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM6K341NU,LF(T nach Preis ab 0.3 EUR bis 0.39 EUR
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SSM6K341NU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6K341NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM6K341NU,LF(T | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A 6-Pin UDFN-B EP T/R |
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| SSM6K341NU,LF(T | Hersteller : Toshiba | MOSFETs Silicon N-channel MOS |
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